[发明专利]钽酸锂晶片的还原方法

摘要

一种钽酸锂晶片的还原方法，包括以下步骤：先将钽酸锂晶体按预定的尺寸切割好，得到若干钽酸锂晶片；彻底清除所有所述钽酸锂晶片的表面的杂质，并干燥；将纯度为90%~99.99%的镁粉在120℃的温度条件下烘干12至30小时；在无尘的环境中将所有经清洗后的钽酸锂晶片装入晶片支架，将晶片支架从无尘环境中取出，并立即放入真空还原炉中，将烘干后的镁粉均匀撒入还原剂装料盒中，将还原剂装料盒放在真空还原炉内的底部；对真空还原炉的炉膛进行抽真空，升温至450℃~520℃，保温0.5h~2h，降温冷却至100℃以下后，停止抽真空，待炉内的气压与外界相等后取出晶片支架，从晶片支架上取下还原后的钽酸锂晶片。

主权项

1.一种钽酸锂晶片的还原方法，其特征在于包括以下步骤：钽酸锂晶片的制备：先将钽酸锂晶体按预定的尺寸切割好，得到若干钽酸锂晶片；清洗：彻底清除所有所述钽酸锂晶片的表面的污物，并干燥所有所述钽酸锂晶片；镁粉的烘干：将纯度为90%~99.99%的镁粉放入真空烘箱中，在120℃的温度条件下烘干12至30小时；装炉：在无尘的环境中将所有经清洗后的所述钽酸锂晶片装入晶片支架，将装有钽酸锂晶片的晶片支架从无尘环境中取出，并立即放入真空还原炉中，以避免所述钽酸锂晶片的表面吸附灰尘而影响还原效果，在无尘的环境中将烘干后的镁粉均匀撒入还原剂装料盒中，将装有镁粉的所述还原剂装料盒放在所述真空还原炉内的底部；还原：对所述真空还原炉的炉膛进行抽真空，将炉内的气压控制在0.01Pa以下，以1℃/h~50℃/h的速率提升炉内的温度，升温至450℃~520℃，保温0.5h~2h，以使所述还原剂装料盒中的镁粉充分气化成为镁蒸汽，在炉膛内扩散，并与所有所述钽酸锂晶片充分接触，进而均匀地还原所述钽酸锂晶片，然后以1℃/h~50℃/h的速率降低炉内的温度，当温度低于100℃时，停止抽真空，待炉内的气压与外界相等后从所述真空还原炉中取出所述晶片支架，从所述晶片支架上取下所有的还原后的所述钽酸锂晶片。