[发明专利]一种考虑温度效应的射频MOS器件的建模方法有效
| 申请号： | 201710080862.3 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN106951586B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘林林 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种考虑温度效应的射频MOS器件的建模方法，通过引入了寄生元件的温度模型，使射频MOS器件模型的拟合更加准确，通过迭代调整寄生元件温度模型的相关参数及本征模型温度的相关参数，可使不同温度下的器件直流数据及射频条件下的关键指标均能与测试数据得到较好拟合,为射频MOS器件在不同温度的应用提供了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 考虑 温度 效应 射频 mos 器件 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种考虑温度效应的射频MOS器件的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：建立包含本征晶体管、寄生电阻、寄生电容和寄生二极管的射频MOS器件的子电路模型架构；步骤S02：获取射频MOS器件在不同测试温度下的直流测试数据，拟合所述本征晶体管的温度参数；步骤S03：确定所述寄生二极管的温度模型；步骤S04：确定所述寄生电容和所述寄生电阻的温度模型；步骤S05：计算所述射频MOS器件子电路模型架构的关键指标，并迭代校正所述本征晶体管、所述寄生电阻、所述寄生电容和所述寄生二极管中的温度参数，使得仿真计算得到的关键指标与所述射频MOS器件测试得到的关键指标满足误差要求。
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