[发明专利]多彩太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710080923.6 申请日: 2017-02-15
公开(公告)号: CN106876592B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 刘敏;李新化;史同飞;马文霞;王玉琦 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42
代理公司: 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 代理人: 任岗生
地址: 230031 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种多彩太阳能电池及其制备方法。电池为硅衬底上置有表面形成PN结的有序硅纳米线阵列,其中,硅纳米线的直径为50‑120nm、周期为500‑1500nm,表面覆有厚1‑200nm的介质层;方法为先于硅衬底表面使用纳米球模板法或电子束曝光法或纳米压印技术制作有序掩模后,使用湿法工艺或反应离子刻蚀的博世工艺于其上刻蚀出有序纳米线阵列,再使用扩散工艺对其上置有有序硅纳米线阵列的硅衬底进行表面掺杂硼元素,之后,于得到的其上置有表面形成PN结的有序硅纳米线阵列的硅衬底上使用化学气相沉积法或电子束蒸发法或原子层沉积技术或旋涂法制作介质层后,于其上制作电极,制得目的产物。它可极易于广泛地商业化应用于城市中的光伏发电系统。
搜索关键词: 多彩 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种多彩太阳能电池,包括硅衬底和其上的介质层,其特征在于:所述硅衬底上置有表面形成PN结的有序硅纳米线阵列;所述组成有序硅纳米线阵列的硅纳米线的线直径为50‑120nm、线周期为500‑1500nm;所述介质层覆于硅纳米线上,其为厚1‑200nm的氧化硅层,或氟化镁层,或氧化锆层,或氧化铝层,或聚‑3己基噻吩有机半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院合肥物质科学研究院,未经中国科学院合肥物质科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710080923.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top