[发明专利]多彩太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201710080923.6 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN106876592B | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 刘敏;李新化;史同飞;马文霞;王玉琦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人: | 任岗生 |
地址: | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种多彩太阳能电池及其制备方法。电池为硅衬底上置有表面形成PN结的有序硅纳米线阵列,其中,硅纳米线的直径为50‑120nm、周期为500‑1500nm,表面覆有厚1‑200nm的介质层;方法为先于硅衬底表面使用纳米球模板法或电子束曝光法或纳米压印技术制作有序掩模后,使用湿法工艺或反应离子刻蚀的博世工艺于其上刻蚀出有序纳米线阵列,再使用扩散工艺对其上置有有序硅纳米线阵列的硅衬底进行表面掺杂硼元素,之后,于得到的其上置有表面形成PN结的有序硅纳米线阵列的硅衬底上使用化学气相沉积法或电子束蒸发法或原子层沉积技术或旋涂法制作介质层后,于其上制作电极,制得目的产物。它可极易于广泛地商业化应用于城市中的光伏发电系统。 | ||
搜索关键词: | 多彩 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种多彩太阳能电池,包括硅衬底和其上的介质层,其特征在于:所述硅衬底上置有表面形成PN结的有序硅纳米线阵列;所述组成有序硅纳米线阵列的硅纳米线的线直径为50‑120nm、线周期为500‑1500nm;所述介质层覆于硅纳米线上,其为厚1‑200nm的氧化硅层,或氟化镁层,或氧化锆层,或氧化铝层,或聚‑3己基噻吩有机半导体层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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