[发明专利]光传感器及摄像装置在审
申请号: | 201710081378.2 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN107204335A | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 玉置德彦;德原健富 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L31/10;H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供具有新的结构的光传感器和具备该光传感器的摄像装置。本发明的光传感器具备光电变换部,包括第1电极、与第1电极对置的第2电极、以及夹在第1电极与第2电极之间的光电变换层;第1晶体管,具有第1栅极、第1源极及第1漏极;连接部,将第1电极与第1栅极电连接;布线层,位于第1晶体管与光电变换部之间,包括连接部的一部分;第1晶体管将通过向光电变换层的光入射而产生的、第1电极和第2电极之间的介电常数的变化所对应的电信号从第1源极及第1漏极的一方输出;布线层包括连接于第1源极及第1漏极的一方的第1布线、和在动作时的规定期间中电位被固定的第2布线;第1布线与连接部之间的距离小于第2布线与连接部之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 传感器 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种光传感器,其特征在于,具备:光电变换部,包括第1电极、与上述第1电极对置的第2电极、以及夹在上述第1电极与上述第2电极之间的光电变换层;第1晶体管,具有第1栅极、第1源极及第1漏极;连接部,将上述第1电极与上述第1栅极电连接;以及布线层,位于上述第1晶体管与上述光电变换部之间,包括上述连接部的一部分;上述第1晶体管,将通过向上述光电变换层的光入射而产生的、上述第1电极和上述第2电极之间的介电常数的变化所对应的电信号,从上述第1源极及上述第1漏极的一方输出;上述布线层包括与上述第1源极及上述第1漏极的一方连接的第1布线、和在动作时的规定期间中电位被固定的第2布线;上述第1布线与上述连接部之间的距离小于上述第2布线与上述连接部之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的