[发明专利]一种发光二极管的芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201710081670.4 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN106816511B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;郭炳磊;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述芯片包括衬底、未掺杂氮化铝缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层、石墨烯薄膜层、N型电极、P型电极、多个二氧化钛纳米棒和多个银纳米颗粒，石墨烯薄膜层、P型氮化镓层、P型电子阻挡层、多量子阱层中设有从石墨烯薄膜层延伸至N型氮化镓层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型氮化镓层上，P型电极设置在石墨烯薄膜层上，多个二氧化钛纳米棒以阵列方式布置在石墨烯薄膜层上，每个二氧化钛纳米棒的外壁均设置有多个银纳米颗粒。本发明能够明显提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的芯片，所述芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的未掺杂氮化铝缓冲层、未掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层和石墨烯薄膜层，所述多量子阱层包括多个铟镓氮子层和多个氮化镓子层，所述多个铟镓氮子层和多个氮化镓子层交替层叠设置，所述石墨烯薄膜层、所述P型氮化镓层、所述P型电子阻挡层、所述多量子阱层中设有从所述石墨烯薄膜层延伸至所述N型氮化镓层的凹槽；所述芯片还包括N型电极和P型电极，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型氮化镓层上，所述P型电极设置在所述石墨烯薄膜层上，其特征在于，所述芯片还包括多个二氧化钛纳米棒和多个银纳米颗粒，所述多个二氧化钛纳米棒以阵列方式布置在所述石墨烯薄膜层上，每个所述二氧化钛纳米棒的外壁均设置有多个所述银纳米颗粒，所述石墨烯薄膜层的厚度为10～150nm。
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