[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710081805.7 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN106887493B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李红丽;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括有源层等，有源层包括多个量子阱子层和多个量子垒子层，多个量子阱子层和多个量子垒子层交替层叠设置，多个量子垒子层沿外延片的层叠方向依次属于第一量子垒、第二量子垒、第三量子垒；第一量子垒为掺有Si的铝镓氮层或者掺有Si的氮化镓层，第二量子垒为掺有Si的铝镓氮层或者掺有Si的氮化镓层或者未掺杂的铝镓氮层或者未掺杂的氮化镓层，第三量子垒由未掺杂的铝镓氮层和未掺杂的铟镓氮层组成，第一量子垒中Si的掺杂浓度大于第二量子垒中Si的掺杂浓度。本发明在不降低光效的情况下有效降低正向工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、应力释放层、有源层、P型电子阻挡层、P型氮化镓层，所述有源层包括多个量子阱子层和多个量子垒子层，所述多个量子阱子层和所述多个量子垒子层交替层叠设置，所述多个量子阱子层均为铟镓氮层，其特征在于，所述多个量子垒子层沿所述外延片的层叠方向依次属于第一量子垒、第二量子垒、第三量子垒；属于第一量子垒的每个所述量子垒子层为掺有Si的铝镓氮层、或者掺有Si的氮化镓层，属于第二量子垒的每个所述量子垒子层为掺有Si的铝镓氮层、或者掺有Si的氮化镓层、或者未掺杂的铝镓氮层、或者未掺杂的氮化镓层，属于第三量子垒的每个所述量子垒子层由未掺杂的铝镓氮层和未掺杂的铟镓氮层组成，属于第一量子垒的每个所述量子垒子层中Si的掺杂浓度大于属于第二量子垒的每个所述量子垒子层中Si的掺杂浓度；属于第一量子垒的每个所述量子垒子层的厚度小于属于第二量子垒的所有所述量子垒子层的厚度，属于第二量子垒的每个所述量子垒子层的厚度小于属于第三量子垒的每个所述量子垒子层的厚度。
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