[发明专利]顶发射型OLED显示器件的制作方法及结构

摘要

本发明提供一种顶发射型OLED显示器件的制作方法及结构。该顶发射型OLED显示器件的制作方法在封装盖板(5)上对应顶发射型OLED(3)的非发光区域(A2)的部分制备辅助电极(7)，在所述辅助电极(7)上涂布纳米金球(9)，对组封装盖板(5)与TFT阵列基板(1)并进行封装后，纳米金球(9)导通辅助电极(7)与顶发射型OLED(3)的透明阴极(33)，能够避免辅助电极制程对有机发光材料层与阴极的损伤，增强阴极的导电率，降低大尺寸OLED显示器件的IR drop。

主权项

1.一种顶发射型OLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供TFT阵列基板(1)；步骤S2、在所述TFT阵列基板(1)上制备出呈矩阵式分布的多个顶发射型OLED(3)；每一顶发射型OLED(3)包括自下至上依次层叠的阳极(31)、有机发光材料层(32)、及透明阴极(33)；每一顶发射型OLED(3)具有发光区域(A1)、及除发光区域(A1)以外的非发光区域(A2)；步骤S3、提供封装盖板(5)，在封装盖板(5)上对应顶发射型OLED(3)的非发光区域(A2)的部分制备辅助电极(7)；步骤S4、在所述辅助电极(7)上涂布单层纳米金球(9)；步骤S5、使制备在封装盖板(5)上的辅助电极(7)与纳米金球(9)朝向TFT阵列基板(1)，对组封装盖板(5)与TFT阵列基板(1)并进行封装，使得纳米金球(9)导通辅助电极(7)与顶发射型OLED(3)的透明阴极(33)；所述TFT阵列基板(1)包括呈矩阵式分布的多个开关TFT(T1)、与开关TFT(T1)对应连接的多个驱动TFT(T2)、以及覆盖开关TFT(T1)与驱动TFT(T2)的平坦层(18)；顶发射型OLED(3)的阳极(31)制备在平坦层(18)上并与驱动TFT(T2)接触；所述步骤S4在辅助电极(7)上对应避开开关TFT(T1)与驱动TFT(T2)的位置涂布单层纳米金球(9)。