[发明专利]多光谱图像传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201710081904.5 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN106847851B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王勇 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王仙子 |
| 地址： | 201210 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种多光谱图像传感器及其制作方法。所述多光谱图像传感器包括前端结构，用于进行光电转换和处理；设置于所述前端结构上的像素层；其中，所述像素层具有N个像素单元，N≥4，所述像素单元排列成多个阵列，每个阵列中各个像素单元的感光波长不同。由此可以实现多光谱同时检测，提高效率，降低成本，并实现小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 光谱 图像传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多光谱图像传感器，包括：前端结构，用于进行光电转换和处理；设置于所述前端结构上的像素层；其中，所述像素层具有N个像素单元，N≥4，所述像素单元排列成多个阵列，每个阵列中各个像素单元的感光波长不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
