[发明专利]元件芯片及其制造方法

摘要

一种元件芯片及其制造方法，用保护膜被覆解理的起点从而使元件芯片的抗弯强度提高。元件芯片的制造方法包括激光切割工序，在用支承构件进行了支承的状态下，对基板的分割区域照射激光，从而分割为具备元件区域的多个元件芯片，并且在元件芯片的端面形成损伤区域。而且包括保护膜沉积工序，在激光切割工序之后，使保护膜沉积在第1主面以及元件芯片的端面；和保护膜蚀刻工序，在保护膜沉积工序之后，通过将元件芯片暴露于等离子体而各向异性地蚀刻保护膜，从而除去沉积在第1主面的保护膜，并且使覆盖损伤区域的保护膜残留。

主权项

一种元件芯片的制造方法，包括：准备基板的工序，所述基板具备第1主面以及第2主面，并且具备作为半导体层的第1层和包含形成在所述第1层的所述第1主面一侧的绝缘膜的第2层，所述基板具备多个元件区域和划定所述元件区域的分割区域；激光切割工序，在用支承构件支承了所述第2主面的状态下，从所述第1主面一侧对所述分割区域照射激光，从而将所述基板分割为具备所述元件区域的多个元件芯片，并且在所述元件芯片的端面形成损伤区域；保护膜沉积工序，在所述激光切割工序之后，使保护膜沉积在所述第1主面以及所述元件芯片的端面；和保护膜蚀刻工序，在所述保护膜沉积工序之后，通过将所述元件芯片暴露于等离子体而各向异性地蚀刻所述保护膜，从而除去沉积在所述第1主面的所述保护膜，并且使覆盖所述损伤区域的所述保护膜残留。