[发明专利]一种槽栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 201710082601.5 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106783990A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 许晓锐;陈万军;刘超;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/40;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案是采用两块分离的P型基区，并在相邻的P型基区之间插入一个沟槽场板结构(GFP)。该结构沿器件垂直方向插入到N‑漂移区层1中。由于沟槽场板GFP的存在，所发明的沟槽结构与N‑漂移区层接触的区域比常规IGBT更多，所以GFP结构形成积累层的效果更加显著，提高了发射极一侧载流子浓度，使电导调制更加充分，导通压降得以降低。由于采用微小的分离的P型基区，减少了反偏PN结对N漂移区中空穴的抽取，提高了发射极一侧载流子的浓度，起到了辅助降低导通压降的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 槽栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种槽栅双极型晶体管，包括集电极结构、漂移区结构、发射极结构和沟槽结构；所述集电极结构包括P+集电极区(10)和位于P+集电极区(10)下表面的金属化集电极(11)；所述漂移区结构包括N+缓存层(9)和位于N+缓存层(9)上表面的N‑漂移区层(1)，所述N+缓存层(9)位于P+集电极区(10)的上表面；所述发射极结构包括P型基区(2)、P+接触区(7)、N+发射区(6)和金属化发射极(8)，所述发射极结构位于N‑漂移区层(1)的上层；所述N+发射区(6)位于器件元胞上表面的两端，所述P+接触区(7)与N+发射区(6)并列设置，所述金属化发射极(8)位于P+接触区(7)和N+发射区(6)的上表面；所述沟槽结构由栅氧化层(3)、多晶硅栅(4)和金属化栅极(5)构成，所述栅氧化层(3)沿器件垂直方向延伸入N‑漂移区层(1)中形成沟槽，所述栅氧化层(3)的侧面与P型基区(2)、N+发射区(6)接触，所述多晶硅栅(4)位于沟槽中，所述金属化栅极(5)位于多晶硅栅(4)的上表面；其特征在于，所述P型基区(2)为两块分离的微型区域，分别位于两侧的P+接触区(7)与N+发射区(6)下表面；所述沟槽结构包括沟槽栅结构和沟槽场板结构，沟槽栅结构位于发射极结构的两侧，沟槽栅结构的侧面与N+发射区(6)、P型基区(2)、N‑漂移区层(1)接触；沟槽场板结构位于两块分离的P型基区(2)之间，沟槽场板结构的侧面只与N‑漂移区层(1)接触，且沟槽栅结构和沟槽场板结构沿器件横向方向依次交替排列。
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