[发明专利]具有调制的纳米线数目的半导体器件有效
| 申请号： | 201710082990.1 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106952958B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | A·卡佩拉尼;K·J·库恩;R·里奥斯;G·比马拉塞蒂;T·加尼;S·金 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了具有调制纳米线数目的半导体器件和形成这种器件的方法例如，半导体结构包括第一半导体器件，第一半导体器件具有设置于衬底上方并且在具有第一最高纳米线的第一垂直平面中叠置的多个纳米线。第二半导体器件具有设置于衬底上方并且在具有第二最高纳米线的第二垂直平面中叠置的一个或多个纳米线。第二半导体器件包括比第一半导体器件少一个或多个的纳米线。第一和第二最高纳米线设置于与第一和第二垂直平面正交的平面中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 调制 纳米 目的 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：第一N型半导体器件，所述第一N型半导体器件包括在衬底上方的第一纳米线，在所述第一纳米线与所述衬底之间不具有居间纳米线，所述第一N型半导体器件进一步包括围绕所述第一纳米线的沟道区的第一N型栅极电极叠置体；以及第二N型半导体器件，所述第二N型半导体器件包括在所述衬底上方的第二纳米线，在所述第二纳米线与所述衬底之间不具有居间纳米线，所述第二N型半导体器件进一步包括围绕所述第二纳米线的沟道区的第二N型栅极电极叠置体，其中所述第二纳米线在所述第一纳米线上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710082990.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
