[发明专利]一种氮化镓功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710083258.6 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN108447898A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 李东键;金荣善;金权济;骆薇薇;孙在亨 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市唐家湾镇港湾大*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化镓功率器件及其制作方法，该氮化镓功率器件包括：基底；设置在基底上的多个功率器件单元；功率器件单元具有栅极、源极以及漏极；栅极包括：平行且相对设置的第一子栅极以及第二子栅极；连接第一子栅极以及第二子栅极的曲面子栅极；第一子栅极具有第一端，第二子栅极具有与第一端相对设置的第二端；曲面子栅极分别与第一端以及第二端连接；其中，漏极位于第一子栅极与第二子栅极之间；曲面子栅极的宽度大于第一子栅极以及第二子栅极的宽度。本发明技术方案通过改变栅极结构，设置曲面子栅极的宽度大于第一子栅极以及第二子栅极的宽度，能够增大栅极曲面部分的耐压能力，可以有效提高氮化镓功率器件栅极的曲面部分耐硬击穿能力。 | ||
| 搜索关键词： | 子栅极 氮化镓功率器件 面子 功率器件单元 第一端 基底 漏极 耐压能力 相对设置 栅极结构 硬击穿 源极 制作 平行 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓功率器件，其特征在于，包括：基底；设置在所述基底上的多个功率器件单元；所述功率器件单元具有栅极、源极以及漏极；所述栅极包括：平行且相对设置的第一子栅极以及第二子栅极；连接所述第一子栅极以及所述第二子栅极的曲面子栅极；所述第一子栅极具有第一端，所述第二子栅极具有与所述第一端相对设置的第二端；所述曲面子栅极分别与所述第一端以及所述第二端连接；其中，所述漏极位于所述第一子栅极与所述第二子栅极之间；所述曲面子栅极的宽度大于所述第一子栅极以及所述第二子栅极的宽度。
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