[发明专利]绝缘膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置有效
| 申请号： | 201710084245.0 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106935656B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 冈崎健一;佐佐木俊成;横山周平;羽持贵士 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜：将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm |
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| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一栅电极；所述第一栅电极上的包括铟、镓和锌的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的包括第一导电膜和第二导电膜的第二栅电极；以及所述第二栅电极上的保护膜，其中，在所述氧化物半导体膜中铟浓度大于镓浓度，所述第一导电膜包括铟、锌和氧化物，所述第二导电膜包括金属元素，并且所述保护膜是通过电子自旋共振法测定的在g=2.001处的信号的自旋密度低于1.5×1018 spins/cm3的氧化绝缘膜。
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