[发明专利]一种基于数据更新频率的写入方法有效
| 申请号： | 201710084434.8 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106775502B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 景蔚亮;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种基于数据更新频率的写入方法，应用于一混合内存，包括：步骤S1，通过控制器获得动态随机存取存储器中的每个存取单元的数据更新频率；步骤S2，通过控制器将每个存取单元的数据更新频率分别与标准频率比较大小；步骤S3，将数据更新频率低于标准频率的每个存取单元设为直写模式，并且将数据更新频率高于标准频率的每个存取单元设为回写模式；步骤S4，返回步骤S1；这使得备份数据所需要的非易失存储器容量远小于传统的NVDIMM，这将大大降低NVDIMM的价格、超级电容的容量、超级电容的发热量等，对于大量使用NVDIMM的数据中心等是一个很大的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 数据 更新 频率 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种基于数据更新频率的写入方法，其特征在于，应用于包括一控制器和一动态随机存取存储器和一非易失存储器的混合内存；所述控制器中预设有一标准频率；所述写入方法包括：步骤S1：通过所述控制器获得所述动态随机存取存储器中的每个存取单元的数据更新频率；步骤S2：通过所述控制器将每个所述存取单元的所述数据更新频率分别与所述标准频率比较大小；步骤S3：将所述数据更新频率低于所述标准频率的每个所述存取单元设为直写模式，并且将所述数据更新频率高于所述标准频率的每个所述存取单元设为回写模式；步骤S4：返回所述步骤S1。
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