[发明专利]一种低硼多晶硅及其制备方法在审
| 申请号： | 201710084961.9 | 申请日： | 2017-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN106672976A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 石兵兵;刘胜明 | 申请（专利权）人： | 石兵兵 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025;C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 刘书芝 |
| 地址： | 730500 甘肃省*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低硼多晶硅及其制备方法，涉及冶金领域。低硼多晶硅由硼含量小于0.3ppm的碳原料和硼含量小于0.15ppm的二氧化硅原料按照质量比为1：1～3.5混合后冶炼制得。低硼多晶硅的制备方法包括：将硼含量小于0.3ppm的碳原料和硼含量小于0.15ppm的二氧化硅原料按照质量比为1：1～3.5混合后冶炼制得。低硼多晶硅由低硼碳原料和低硼二氧化硅原料制得，无需再次脱硼即满足太阳能级多晶硅的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低硼多晶硅，其特征在于，由硼含量小于0.3ppm的碳原料和硼含量小于0.15ppm的二氧化硅原料按照质量比为1：1～3.5混合后在1500～2500℃的温度下冶炼制得。
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