[发明专利]一种高可靠性HEMT制作方法在审
| 申请号： | 201710086139.6 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN106920747A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 彭虎;张耀辉;莫海锋 | 申请（专利权）人： | 昆山华太电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高可靠性HEMT制作方法，包括步骤1，在成型后的HEMT器件上淀积介质层，并对介质层进行平坦化处理；步骤2，在平坦化处理后的介质层上刻蚀若干通孔或槽；步骤3，在通孔或槽中淀积金属层，并对金属层进行平坦化处理；步骤4，在平坦化处理后的金属层和介质层上淀积钝化层。本发明采用先开孔后金属填充，然后淀积钝化层，通过优化钝化层结构，可以保障器件的防潮能力，使器件具有在潮湿环境工作的高可靠性；同时通过调节钝化层的厚度和应力，可以实现对器件性能的调节优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 hemt 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高可靠性HEMT制作方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤1，在成型后的HEMT器件上淀积介质层，并对介质层进行平坦化处理；步骤2，在平坦化处理后的介质层上刻蚀若干通孔或槽；步骤3，在通孔或槽中淀积金属层，并对金属层进行平坦化处理；步骤4，在平坦化处理后的金属层和介质层上淀积钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
