[发明专利]适用于射频电路中的带隙基准电路

摘要

本发明涉及一种带隙基准电路，尤其是一种适用于射频电路中的带隙基准电路，属于带隙基准电路的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述适用于射频电路中的带隙基准电路，包括用于与电源Vdd连接的自启动电路以及与所述自启动电路连接的基准电路，所述基准电路与缓冲器负载输出电路连接；在自启动电路上电启动后，自启动电路能对基准电路充电，在基准电路内的电压稳定后，自启动电路关断，且基准电路能产生与温度无关的输出电流Iref，缓冲器负载输出电路根据输出电流Iref输出大小和摆幅稳定的电压。本发明结构紧凑，温漂系数小，噪声低，能够为射频系统提供恒定的低噪声电压与电流，安全可靠。

主权项

一种适用于射频电路中的带隙基准电路，其特征是：包括用于与电源Vdd连接的自启动电路(110)以及与所述自启动电路(110)连接的基准电路(120)，所述基准电路(120)与缓冲器负载输出电路(130)连接；在自启动电路(110)上电启动后，自启动电路(110)能对基准电路(120)充电，在基准电路(120)内的电压稳定后，自启动电路(110)关断，且基准电路(120)能产生与温度无关的输出电流Iref，缓冲器负载输出电路(130)根据输出电流Iref输出大小和摆幅稳定的电压；所述基准电路(120)包括与电源Vdd连接的电阻R6、电阻R7以及电阻R8，电阻R8的一端与电源Vdd连接，电阻R8的另一端与晶体管Q4的发射极端连接，电阻R7的一端与电源Vdd连接，电阻R7的另一端与晶体管Q5的发射极端连接，电阻R6的一端与电源Vdd连接，电阻R6的另一端与晶体管Q6的发射极端连接；晶体管Q4的基极端与晶体管Q5的基极端、晶体管Q5的集电极端、晶体管Q6的基极端以及晶体管Q3的集电极端连接，晶体管Q4的集电极端与自启动电路(110)、晶体管Q1的集电极端以及晶体管Q3的基极端连接，晶体管Q3的发射极端与晶体管Q1的基极端、电阻R1的一端以及晶体管Q2的基极端连接，晶体管Q1的发射极端、电阻R1的另一端均与地Vee连接，晶体管Q2的发射极端通过电阻R2与地Vee连接，在晶体管Q6的集电极端得到输出电流Iref；所述缓冲器负载输出电路(130)包括电阻R5以及电阻R4，电阻R5的一端与电源Vdd连接，电阻R5的另一端与晶体管Q10的集电极端连接，电阻R4的一端与电源Vdd连接，电阻R4的另一端与晶体管Q11的集电极端连接，晶体管Q10的发射极端、晶体管Q11的发射极端均与晶体管Q12的集电极端连接，晶体管Q12的基极端接收根据输出电流Iref得到的偏置电压Vbias，晶体管Q12的发射极端通过电阻R3与地Vee连接，晶体管Q10的集电极端形成第一电压输出端Vout1，晶体管Q11的集电极端形成第二电压输出端Vout2。