[发明专利]MEMS为基础的共振鳍式场效晶体管有效
| 申请号： | 201710086332.X | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107089639B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | B·巴尔;Z·克里沃卡皮奇 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及MEMS为基础的共振鳍式场效晶体管，其中，一种半导体结构包括半导体衬底、耦接至该半导体衬底的鳍片、在该等鳍片上的FinFET、用于该等FinFET的共栅极、在该半导体衬底上的介电层、以及在该等FinFET上面的互连结构，该介电层围绕空腔且该半导体衬底通过全内反射提供该声腔的底端约束，该互连结构包括用以将该空腔中的声能约束的(多个)声子晶体，包括合夹于两个介电层间的该空腔及(多个)金属层。该半导体衬底可在FinFET的FEOL制作期间，通过在半导体衬底的表面上形成空腔来实现。接着，在制作该FinFET之后，就该FinFET形成互连结构。在形成该互连结构期间，该互连结构的材料用于形成用以将介于该声子晶体与该半导体衬底间的空腔约束的声子晶体。 | ||
| 搜索关键词： | mems 基础 共振 鳍式场效 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，包含：在FinFET的FEOL制作期间，于半导体衬底的表面上形成声共鸣空腔；在制作该FinFET之后，就该FinFET形成互连结构；在形成该互连结构期间，使用该互连结构的材料形成声子晶体；以及于该声子晶体与该半导体衬底间约束该声共鸣空腔，建立共振FinFET。
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