[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710087126.0 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107819068B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李永民;永濑俊彦;渡边大辅;泽田和也;吉野健一;及川忠昭;大鸟博之 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及其制造方法。实施例的半导体装置具备第1稀土氧化物层、与所述第1稀土氧化物层相邻的第1磁性层、和非磁性层，所述第1磁性层配置于所述第1稀土氧化物层与所述非磁性层之间，且以与所述非磁性层的晶面相同的晶面取向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备第1稀土氧化物层、与所述第1稀土氧化物层相邻的第1磁性层、和非磁性层，所述第1磁性层配置于所述第1稀土氧化物层与所述非磁性层之间，且以与所述非磁性层的晶面相同的晶面取向。
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