[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710087188.1 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108461482B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张青淳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有一电阻器件，所述电阻器件包括自下而上依次布置的第一覆盖层和第二覆盖层，其中所述第一覆盖层和第二覆盖层的电阻温度系数的正负性相反。根据本发明的半导体器件，第一覆盖层和第二覆盖层的电阻温度系数的正负相反，当调整第一覆盖层和第二覆盖层的厚度比时，可以使所述电阻器件获得不同的温度系数，使所述电阻器件的温度系数可在正值、零到负值之间可调。此外，这种半导体器件适用于对电阻温度系数的要求不同的器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有一电阻器件，所述电阻器件包括自下而上依次布置的第一覆盖层和第二覆盖层，其中所述第一覆盖层和第二覆盖层的电阻温度系数的正负性相反。
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