[发明专利]一种电熔丝器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710087199.X | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108461476B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种电熔丝器件及其制造方法，所述器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区，所述阱区中形成有隔离结构；和在所述半导体衬底上形成的导电层，所述导电层包括覆盖所述隔离结构的所述电熔丝器件的熔断部，以及分别与所述隔离结构两侧的阱区电连接的所述电熔丝器件的阴极和阳极，所述熔断部位于所述阴极和阳极之间。根据本发明的电熔丝器件具有至少两个电流通道，从而所述电熔丝器件的电阻在编程熔断过程中，熔断后具有固定电阻值，且其熔断后的电阻值可控。 | ||
| 搜索关键词： | 电熔丝器件 熔断 隔离结构 衬底 阱区 半导体 阴极 阳极 导电层 电阻 电流通道 固定电阻 电连接 可控 编程 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种电熔丝器件，其特征在于，所述器件包括：/n半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区，所述阱区中形成有隔离结构；和/n在所述半导体衬底上形成的导电层，所述导电层包括覆盖所述隔离结构的所述电熔丝器件的熔断部，以及分别与所述隔离结构两侧的阱区电连接的所述电熔丝器件的阴极和阳极，所述熔断部位于所述阴极和阳极之间。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710087199.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维半导体装置
- 下一篇：具有改善的电力输送的嵌入式多管芯互连桥
