[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制造方法，属于发光二极管领域。所述GaN基发光二极管外延片包括：衬底，依次覆盖在所述衬底上的缓冲层、三维成长层、u‑GaN层、n型层、n型电流扩展层、应力释放层、多量子阱层和p型层，所述n型电流扩展层包括覆盖在所述n型层上的第一子层以及覆盖在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层为AlGaN层，所述第二子层为不掺Si的GaN层和掺Si的GaN层形成的超晶格结构，所述第一子层的生长温度高于所述n型层以及所述第二子层的生长温度，所述第二子层的生长压力高于所述第一子层的生长压力。该GaN基发光二极管外延片能够改善缺陷，提高了外延片的光电性能。

主权项

1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述GaN基发光二极管外延片包括：衬底，依次覆盖在所述衬底上的缓冲层、三维成长层、u‑GaN层、n型层、n型电流扩展层、应力释放层、多量子阱层和p型层，所述n型电流扩展层包括覆盖在所述n型层上的第一子层以及覆盖在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层为AlGaN层，所述第二子层为不掺Si的GaN层和掺Si的GaN层形成的超晶格结构，所述第一子层的生长温度高于所述n型层以及所述第二子层的生长温度，所述第二子层的生长压力高于所述第一子层的生长压力；所述第一子层中的Al的含量沿着所述GaN基发光二极管外延片的生长方向先减小后增加，且所述第一子层中的Al总量不超过10²¹cm^‑3。