[发明专利]一种封装装配件及其形成方法、合并封装装配件的系统有效
申请号: | 201710088191.5 | 申请日: | 2013-11-20 |
公开(公告)号: | CN106876292B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | D·V·库尔卡尼;R·K·莫腾森;J·S·古扎克 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/498;H01L23/538 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 高见 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开内容的实施方式涉及封装装配件以及用于形成封装装配件的方法和合并封装装配件的系统。封装装配件可以包括衬底,该衬底包括诸如BBUL等的多个构建层。在各种实施方式中,电气布线构件可以被放置在衬底的外表面上。在各种实施方式中,主逻辑管芯和第二管芯或电容器可以被嵌入在所述多个构建层中。在各种实施方式中,电气路径可以被定义在所述多个构建层中,以便在第二管芯或电容器和电气布线构件之间传送电能或接地信号,这旁路了主逻辑管芯。 | ||
搜索关键词: | 一种 封装 装配 及其 形成 方法 合并 系统 | ||
【主权项】:
1.一种产生封装装配件的方法,包括:形成通过第二多个构建层从形成在第一构建层中的第一管芯或电容器至所述第二多个构建层的与所述第一构建层相对的表面的电气路径,其中所述第二多个构建层被耦合至所述第一构建层的一侧,并且其中形成所述电气路径包括:在所述第一构建层内形成第一通孔,所述第一通孔从所述第一管芯或所述电容器的焊盘延伸至所述第一构建层的所述一侧以邻接所述第二多个构建层;在所述第一构建层的所述一侧上形成第一导电层,所述第一导电层被耦合至所述通孔并且从所述通孔朝着所述封装装配件的与所述第二多个构建层的所述表面垂直的一侧延伸,其中所述第一导电层将位于所述第一构建层与所述第二多个构建层之间;将第二管芯嵌入到所述第二多个构建层内,所嵌入的第二管芯位于所述第一构建层与所述第二多个构建层的表面之间,其中所述电气路径旁路所述第二管芯;以及在所述第二多个构建层的所述表面上形成一个或多个电气构件,所述电气特征被电耦合至所述电气路径。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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