[发明专利]一种利用NTC半导体纳米粉体对荧光粉发射光谱的调变方法

摘要

本发明提供了一种利用NTC半导体纳米粉体对荧光粉激发光谱的调变方法，用便宜的锰钴镍铜铁锌钛钡锆的金属氧化物等负温度系数半导体纳米粉体，替代资源稀缺的稀土，实现对荧光材料发射波长范围的调整；采用原料来源更容易得到、更廉价和更多储量的过渡金属复合氧化物等材料替代资源稀有的部分稀土功能的作用；通过添加原料廉价的负温度系数半导体纳米粉体材料，来实现过去稀土离子或者化合物才能实现的光谱调变，获得需要激发的白光或者高显色性的光源，负温度系数半导体NTC纳米粉体也可以对于280‑650nm波长LED芯片的激发都能起到调节作用。

主权项

1.一种利用NTC半导体纳米粉体对荧光粉发射光谱的调变方法，其特征在于包括下述步骤：采用研磨方式将任意一种或任意比例组合的LED荧光粉与任意一种或任意比例组合的NTC半导体纳米粉体按照LED荧光粉：NTC纳米粉＝(2～2000)：1的摩尔配比研磨混合；所述的LED荧光粉包括铝酸盐掺稀土YAG∶Ce³⁺、硅酸盐掺稀土、氮化硅掺铕、氧化钇掺铕、钒酸钇掺铕、钒磷酸钇掺铕、多铝酸镁掺稀土、多铝酸镁锶钡掺稀土以及氮氧化硅掺铕；所述的NTC半导体纳米粉体材料包括具有NTC热敏和光电阻特性的Mn_{n‑x‑y‑z}Cu_xNi_yFe_zO_m、Co_{n‑x‑y‑z}Ni_xCu_YFe_zO_m、Ni_{n‑x‑y‑z}Co_xMn_yM_zO_m或Cu_{n‑x‑y‑z}Co_xNi_yM_zO_m氧化物固溶体纳米粉体，或者Mn_{n‑x‑y‑z}Cu_xNi_yFe_zO_m、Co_{n‑x‑y‑z}Ni_xCu_YFe_zO_m、Ni_{n‑x‑y‑z}Co_xMn_yM_zO_m或Cu_{n‑x‑y‑z}Co_xNi_yM_zO_m氧化物固溶体纳米粉体的质量百分比大于50％的纳米粉体，其中n值取1～9之间整数，m取值为最接近3n/2的正整数，M为Ti、Zr、Ba、Ag或Au，x+y+z>0.001，n‑x‑y‑z>0。