[发明专利]存储单元与存储器有效
| 申请号： | 201710088549.4 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108461101B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 杨成成;李辉辉;孟皓;陆宇;刘波 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡;吴贵明 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种存储单元与存储器。该存储单元包括MTJ模块，MTJ模块包括第一MTJ、第二MTJ以及设置在第一MTJ与第二MTJ间的压电层，第一MTJ包括由下至上依次设置的第一参考层、第一隔离层与第一自由层；第二MTJ设置在压电层的远离第一MTJ的表面上，第二MTJ包括由下至上依次设置的第二自由层、第二隔离层与第二参考层，且第一参考层与第二参考层的磁化方向相同，第一参考层的磁化方向与第一自由层的磁化方向的位置关系为第一位置关系，第二参考层的磁化方向与第二自由层的磁化方向的位置关系为第二位置关系，当第一位置关系与第二位置关系相同时，第一MTJ与第二MTJ的电阻值不相等。该存储单元的存储密度高。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元包括MTJ模块(01)，所述MTJ模块(01)包括：第一MTJ，包括由下至上依次设置的第一参考层(2)、第一隔离层(3)与第一自由层(4)；压电层(6)，设置在所述第一自由层(4)的远离所述第一隔离层(3)的表面上；以及第二MTJ，设置在所述压电层(6)的远离所述第一MTJ的表面上，所述第二MTJ包括由下至上依次设置的第二自由层(8)、第二隔离层(9)与第二参考层(10)，其中，所述第一参考层(2)与所述第二参考层(10)的磁化方向相同，所述第一参考层(2)的磁化方向与所述第一自由层(4)的磁化方向的位置关系为第一位置关系，所述第二参考层(10)的磁化方向与所述第二自由层(8)的磁化方向的位置关系为第二位置关系，当所述第一位置关系与所述第二位置关系相同时，所述第一MTJ与所述第二MTJ的电阻值不相等。
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