[发明专利]一种自驱动阳极辅助栅绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201710088554.5 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106783991B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;蒲贤洁;廖瑞金;曾正;邵伟华;李辉 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自驱动阳极辅助栅绝缘栅双极型晶体管；所述自驱动阳极辅助栅绝缘栅双极型晶体管采用阳极自驱动辅助栅的设计结构，在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性，获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间的折衷关系；并且，所述阳极辅助栅结构采用自驱动设计，能够消除常规辅助栅极阳极结构对额外驱动电路的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 驱动 阳极 辅助 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种快速绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括阳极接触区(1)、重掺杂第二导电类型阳极区(2)、第一导电类型阳极缓冲区(3)、第一导电类型漂移区(4)、第二导电类型阴极阱区(5)、重掺杂第一导电类型阴极区(6)、重掺杂第二导电类型阴极区(7)、阴极接触区(8)、栅极介质层(9)、栅极接触区(10)、第二导电类型阳极阱区(11)、重掺杂第一导电类型阳极区(12)、阳极辅助栅介质层(13)和阳极辅助栅接触区(14)；所述第一导电类型漂移区(4)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之上；所述第二导电类型阴极阱区(5)覆盖于第一导电类型漂移区(4)之上的部分表面；所述重掺杂第一导电类型阴极区(6)和重掺杂第二导电类型阴极区(7)覆盖于第二导电类型阴极阱区(5)之上的部分表面；所述阴极接触区(8)覆盖于重掺杂第二导电类型阴极区(7)之上，所述阴极接触区(8)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(6)之上的部分表面；所述栅极介质层(9)覆盖于第二导电类型阴极阱区(5)之上的部分表面，所述栅极介质层(9)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(6)之上的部分表面和第一导电类型漂移区(4)之上的部分表面；所述栅极接触区(10)覆盖于栅极介质层(9)之上；所述重掺杂第二导电类型阳极区(2)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；所述第二导电类型阳极阱区(11)覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；所述重掺杂第一导电类型阳极区(12)覆盖于第二导电类型阳极阱区(11)之下的部分表面；所述阳极辅助栅介质层(13)覆盖于第二导电类型阳极阱区(11)之下的部分表面，所述阳极辅助栅介质层(13)还覆盖于重掺杂第一导电类型阳极区(12)之下的部分表面和第一导电类型阳极缓冲区(3)之下的部分表面；所述阳极辅助栅接触区(14)覆盖于阳极辅助栅介质层(13)之下；所述阳极接触区(1)覆盖于阳极辅助栅接触区(14)之下，所述阳极接触区(1)还覆盖于第二导电类型阳极区(2)之下的部分表面和重掺杂第一导电类型阳极区(12)之下的部分表面。
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