[发明专利]元件芯片的制造方法

摘要

一种元件芯片的制造方法，在对保持在保持片的基板进行等离子体切割时提高产品的成品率。元件芯片的制造方法包括：准备工序，准备将基板的第1主面粘接到保持片而保持在保持片的基板；载置工序，将保持了基板的保持片载置到设置在等离子体处理装置内的载置台；和等离子体切割工序，将基板的分割区域等离子体蚀刻到第1主面，将基板单片化为多个元件芯片。等离子体切割工序包括：第1等离子体蚀刻工序，在载置台与保持片之间供给冷却用气体，同时等离子体蚀刻分割区域的厚度的一部分；和第2等离子体蚀刻工序，在第1等离子体蚀刻工序之后，停止冷却用气体的供给，等离子体蚀刻分割区域的剩余部分。

主权项

一种元件芯片的制造方法，将具备第1主面以及与第1主面相反的一侧的第2主面且具备由分割区域划定的多个元件区域的基板，在所述分割区域进行分割来形成多个元件芯片，所述元件芯片的制造方法包括：准备工序，准备将所述第1主面粘接到保持片而保持在所述保持片的基板；载置工序，将保持了所述基板的所述保持片载置到设置在等离子体处理装置内的载置台；和等离子体切割工序，将所述基板的所述分割区域从所述第2主面等离子体蚀刻到所述第1主面，将所述基板单片化为多个元件芯片，所述等离子体切割工序包括：第1等离子体蚀刻工序，在所述载置台与所述保持片之间供给冷却用气体，同时等离子体蚀刻所述分割区域的厚度的一部分；和第2等离子体蚀刻工序，在所述第1等离子体蚀刻工序之后，停止所述冷却用气体的供给，等离子体蚀刻所述分割区域的剩余部分。