[发明专利]一种透明电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201710088800.7 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106847942B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘正奇;刘桂强;黄镇平;刘晓山 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王加贵 |
| 地址： | 330000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供透明电极及其制备方法；本发明的透明电极包括：透明基底和在所述透明基底上依次设置的第一高介电膜层、金属膜层、第二高介电膜层；所述的金属膜层为连续金属膜层；所述高介电膜层的介电常数大于等于6.25。本发明利用高介电材料的电磁共振特性实现高电导高光透明的透明电极材料的设计和制备。本发明的透明电极利用高介电膜层的电磁共振特性及其与入射光的耦合输入和输出效应；高介电膜层与连续金属膜层的复合结构能提供宽频带光透明，频谱范围覆盖了从可见光到红外光，极大地拓展了此类透明电极在不同频段的光电应用范围；同时具有较强的弯曲和柔韧性，易于与外界结构单元包括其他有源层或光电控制模块或柔性基底的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电膜 透明电极 金属膜层 制备 电磁共振 基底 透明 红外光 光电控制模块 透明电极材料 高介电材料 可见光 柔韧性 范围覆盖 复合结构 光电应用 介电常数 宽频带光 柔性基底 外界结构 依次设置 耦合 高电导 入射光 透明的 频段 高光 频谱 源层 输出 拓展 | ||
【主权项】：
1.一种透明电极，其特征在于，包括：透明基底和在所述透明基底上依次设置的第一高介电膜层、金属膜层、第二高介电膜层；所述的金属膜层为连续金属膜层；所述高介电膜层的介电常数大于等于6.25；所述金属膜层的厚度为10-50nm；所述金属膜层的材料选自铜、银、金、铝或铂中的任意一种或几种制备的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
