[发明专利]一种N型选择性发射极双面电池及其加工方法在审
申请号: | 201710090233.9 | 申请日: | 2017-02-20 |
公开(公告)号: | CN106784053A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 李华;鲁伟明 | 申请(专利权)人: | 泰州乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人: | 邓道花 |
地址: | 225300 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种N型选择性发射极双面电池,包括N型基体,N型基体,一侧依次设置有重掺杂发射极区域、轻掺杂发射极区域、正面钝化减反膜、正面电极,另一侧依次设置有磷掺杂背场区域、背面钝化减反膜和背面电极;其中正面电极穿过正面钝化减反膜与重掺杂发射区域形成欧姆接触;背面电极穿过背面钝化减反膜与磷掺杂背场区域形成欧姆接触。本发明的N型双面电池及其加工方法,采用在金属化区域下增加掺杂浓度和减少接触面积来降低金属区域的复合的结构,以及加工该结构双面电池,从而减少了正表面的复合,提高电池发电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 选择性 发射极 双面 电池 及其 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种N型选择性发射极双面电池,其特征在于:包括N型基体(1),N型基体(1),一侧依次设置有重掺杂发射极区域(2)、轻掺杂发射极区域(3)、正面钝化减反膜(4)、正面电极(5),另一侧依次设置有磷掺杂背表面场区域(6)、背面钝化减反膜(7)和背面电极(8);其中:正面电极(5)穿过正面钝化减反膜(4)与重掺杂发射电极(2)形成欧姆接触;背面电极(8)穿过背面钝化减反膜(7)与磷掺杂背表面场(6)形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的