[发明专利]聚吡咯表面修饰硅纳米线气敏元件及其应用有效
| 申请号： | 201710090406.7 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN108459055B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;崔震;刘雕;王克行 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开聚吡咯表面修饰硅纳米线气敏元件及其应用，利用化学刻蚀处理单晶硅片，以使单晶硅片表面产生垂直于单晶硅片表面的一维硅纳米线阵列；将引发剂溶液和吡咯单体溶液先后旋涂在经步骤2处理的单晶硅片，以使在一维硅纳米线阵列中原位引发吡咯聚合成聚吡咯，形成具有聚吡咯表面修饰一维硅纳米线阵列的单晶硅片，实现对NH |
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| 搜索关键词： | 吡咯 表面 修饰 纳米 线气敏 元件 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.聚吡咯表面修饰硅纳米线气敏元件，其特征在于，硅纳米线的平均长度为10μm—15μm，平均直径为300nm—500nm，原位聚合生成聚吡咯纳米粒子平均直径为8—12nm，在一维硅基上形成表面凸起，使得硅纳米线表面台阶变得更加平缓；按照下述步骤进行制备：步骤1，利用化学刻蚀处理单晶硅片，以使单晶硅片表面产生垂直于单晶硅片表面的一维硅纳米线阵列；步骤2，将引发剂溶液和吡咯单体溶液先后旋涂在经步骤1处理的单晶硅片，以使在一维硅纳米线阵列中原位引发吡咯聚合成聚吡咯，形成具有聚吡咯表面修饰一维硅纳米线阵列的单晶硅片，即为聚吡咯表面修饰硅纳米线气敏元件。
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