[发明专利]一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201710091494.2 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106941115B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;廖瑞金;蒲贤洁;曾正;邵伟华;李辉 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/45;H01L29/08 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管；所述自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管以SOI为衬底，采用自驱动阳极辅助栅极的设计结构，在保证器件较小关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件可以采用现有常规集成电路制造工艺步骤实现，并且这种器件设计还可以减小器件的横向尺寸，提高电流导通能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 驱动 阳极 辅助 横向 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括第二导电类型衬底层(1)、绝缘介质层(2)、第二导电类型阴极阱区(3)、重掺杂第一导电类型阴极区(4)、重掺杂第二导电类型阴极区(5)、阴极接触区(6)、栅极接触区(7)、栅极介质层(8)、第一导电类型漂移区(9)、第一导电类型阳极缓冲区(10)、重掺杂第二导电类型阳极区(11)、阳极接触区(12)、重掺杂第一导电类型阳极区(13)、第二导电类型阳极阱区(17)、阳极自驱动栅极介质层(18)和阳极自驱动栅极接触区(19)；所述绝缘介质层(2)覆盖于第二导电类型衬底层(1)之上；所述第一导电类型漂移区(9)覆盖于绝缘介质层(2)之上；所述第二导电类型阴极阱区(3)和第一导电类型阳极缓冲区(10)均覆盖于第一导电类型漂移区(9)之上的部分表面；所述第二导电类型阴极阱区(3)和第一导电类型阳极缓冲区(10)分别位于第一导电类型漂移区(9)的两侧；所述第二导电类型阴极阱区(3)和第一导电类型阳极缓冲区(10)均能够向绝缘介质层(2)方向延伸直至与绝缘介质层(2)接触；所述重掺杂第一导电类型阴极区(4)和重掺杂第二导电类型阴极区(5)覆盖于第二导电类型阴极阱区(3)之上的部分表面；所述阴极接触区(6)覆盖于重掺杂第二导电类型阴极区(5)之上，所述阴极接触区(6)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(4)之上的部分表面；所述栅极介质层(8)覆盖于第二导电类型阴极阱区(3)之上的部分表面，所述栅极介质层(8)还覆盖于重掺杂第一导电类型阴极区(4)之上的部分表面和第一导电类型漂移区(9)之上的部分表面；所述栅极接触区(7)覆盖于栅极介质层(8)之上；所述重掺杂第二导电类型阳极区(11)和第二导电类型阳极阱区(17)均覆盖于第一导电类型阳极缓冲区(10)之上的部分表面；所述重掺杂第一导电类型阳极区(13)覆盖于第二导电类型阳极阱区(17)之上的部分表面；所述阳极自驱动栅极介质层(18)覆盖于第二导电类型阳极阱区(17)之上的部分表面，所述阳极自驱动栅极介质层(18)还覆盖于重掺杂第一导电类型阳极区(13)之上的部分表面和第一导电类型阳极缓冲区(10)之上的部分表面；所述阳极自驱动栅极接触区(19)覆盖于阳极自驱动栅极介质层(18)之上；所述阳极接触区(12)覆盖于阳极自驱动栅极接触区(19)之上，所述阳极接触区(12)还覆盖于第二导电类型阳极区(11)之上的部分表面和重掺杂第一导电类型阳极区(13)之上的部分表面。
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