[发明专利]等离子体处理方法

摘要

提供一种等离子体处理方法，能够以简易的工序实现精细的图案化。等离子体处理方法包括：粘附工序，在具备第一主面和第一主面的相反侧的第二主面的基板的第一主面粘附树脂膜；以及图案化工序，对树脂膜进行图案化，从而形成具有使基板的被处理区域露出的开口部的掩模。而且，等离子体处理方法包括：第一等离子体工序，在包含第一气体的减压环境中生成第一气体的第一等离子体，并使掩模暴露于第一等离子体，从而减少掩模与第一主面之间的空隙。进而，等离子体处理方法包括：第二等离子体工序，在包含第二气体的环境中用第二气体生成第二等离子体，并使从开口部露出的被处理区域暴露于第二等离子体，从而对被处理区域进行蚀刻。

主权项

一种等离子体处理方法，包括：粘附工序，在具备第一主面和所述第一主面的相反侧的第二主面的基板的所述第一主面粘附树脂膜；图案化工序，对所述树脂膜进行图案化，形成具有使所述基板的被处理区域露出的开口部的掩模；第一等离子体工序，在包含第一气体的减压环境中生成所述第一气体的第一等离子体，并使所述掩模暴露于所述第一等离子体，从而减少所述掩模与所述第一主面之间的空隙；以及第二等离子体工序，在包含第二气体的环境中用所述第二气体生成第二等离子体，并使从所述开口部露出的所述被处理区域暴露于所述第二等离子体，从而对所述被处理区域进行蚀刻。