[发明专利]存储器件

摘要

本公开涉及存储器件。一种存储器件可以包括：衬底；第一导线，其在衬底上并且在第一方向上延伸；第二导线，其在第一导线上方并且在交叉第一方向的第二方向上延伸；第三导线，其在第二导线上方并且在第一方向上延伸；第一存储单元，其在第一导线和第二导线的交点处并且包括第一选择元件层和第一可变电阻层；以及第二存储单元，其在第二导线和第三导线的交点处并且包括第二选择元件层和第二可变电阻层。第一选择元件层在垂直于第一和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二选择元件层在第三方向上的第二高度。

主权项

一种存储器件，包括：衬底；所述衬底上的多条第一导线，所述多条第一导线在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸并且在交叉所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；多条第二导线，其在所述多条第一导线上方，所述多条第二导线在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开；多条第三导线，其在所述多条第二导线上方，所述多条第三导线在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上彼此间隔开；多个第一存储单元，其在所述多条第一导线和所述多条第二导线的各交点处，所述多个第一存储单元中的每个包括第一选择元件层和第一可变电阻层；以及多个第二存储单元，其在所述多条第二导线和所述多条第三导线的各交点处，所述多个第二存储单元中的每个包括第二选择元件层和第二可变电阻层，其中所述第一选择元件层在垂直于所述第一方向和第二方向的第三方向上的第一高度不同于所述第二选择元件层在所述第三方向上的第二高度，以及其中所述第一可变电阻层和第二可变电阻层由相同材料制成，以及所述第一选择元件层和第二选择元件层由相同材料制成。