[发明专利]清洗工艺终点监测方法及系统、半导体加工设备有效
申请号: | 201710092716.2 | 申请日: | 2017-02-21 |
公开(公告)号: | CN108461410B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 李兴存 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种清洗工艺终点监测系统,用于监测腔室的清洗工艺终点,射频电源通过阻抗匹配器与腔室相连,用以将射频能量耦合至腔室内将腔室内的清洗气体激发形成等离子体,阻抗匹配器用于通过执行单元调节阻抗可调单元来实现射频电源的负载阻抗和特征阻抗相匹配;检测单元用于检测阻抗可调单元的阻抗或阻抗可调单元的阻抗的相关信息,控制单元基于检测到的阻抗或相关信息来确定阻抗可调单元的阻抗随时间的变化率是否先达到稳定再经过变化最后再达到稳定,若是,则确定清洗工艺终点出现。本发明还提供半导体加工设备和清洗工艺终点监测方法。不仅不会受到腔室采集窗户沉积有薄膜的限制,而且成本低且对监测环境的适应性强。 | ||
搜索关键词: | 清洗 工艺 终点 监测 方法 系统 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
1.一种清洗工艺终点监测系统,用于监测腔室的清洗工艺终点,射频电源通过阻抗匹配器与腔室相连,用以将射频能量耦合至腔室内将所述腔室内的清洗气体激发形成等离子体,其中所述阻抗匹配器包括阻抗可调单元和执行单元;所述阻抗匹配器用于通过所述执行单元调节所述阻抗可调单元来实现所述射频电源的负载阻抗和特征阻抗相匹配;其特征在于,清洗工艺终点监测系统包括检测单元和控制单元,其中所述检测单元用于检测所述阻抗可调单元的阻抗或所述阻抗可调单元的阻抗的相关信息,所述控制单元用于基于检测到的阻抗或相关信息来确定所述阻抗可调单元的阻抗随时间的变化率是否先达到稳定再经过变化最后再达到稳定,若是,则确定所述清洗工艺终点出现。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造