[发明专利]一种高纯氮化硅粉末的制备方法有效
| 申请号： | 201710093194.8 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN106810267B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 杨志平;张银霞;赵金鑫 | 申请（专利权）人： | 河北利福光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/626 |
| 代理公司： | 13112 石家庄国域专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 苏艳肃 |
| 地址： | 071000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高纯氮化硅粉末的制备方法，包括如下步骤：将水溶性淀粉分散于水中，并加热至80℃，糊化45min得糊化物，然后将糊化物冷却至50℃，向糊化物中加入二氧化硅粉末和烧结助剂，搅拌至混合均匀，再经过滤、干燥、过筛即得前驱体，所述烧结助剂为纳米氮化硅；将所得前驱体放入烧结炉中，排除炉内空气，并通入氨气/氢气混合气作为反应气氛，烧结温度为1350~1450℃，烧结时间为5h，得到烧结产物；将所得烧结产物置于脱碳炉中，于700℃空气氛围下保温2h，即得到高纯氮化硅粉末。本发明方法在低温常压下即可制备得到高纯氮化硅粉末，所得氮化硅粉末纯度高，氮含量≥39.29%，氧含量≤0.71%，粒径尺寸均匀，K值为0.5~0.98。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 氮化 粉末 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯氮化硅粉末的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n制备前驱体：将水溶性淀粉分散于水中，并加热至80℃，糊化45min得糊化物，然后将糊化物冷却至50℃，向糊化物中加入二氧化硅粉末和烧结助剂，搅拌至混合均匀，再经过滤、干燥、过筛即得前驱体，所述烧结助剂为纳米氮化硅，所述水溶性淀粉与二氧化硅粉末的质量比为0.8~1.2∶1；/n烧结：将所得前驱体放入烧结炉中，排除炉内空气，并通入氨气/氢气混合气作为反应气氛，烧结温度为1350~1450℃，烧结时间为5h，得到烧结产物，所述氨气/氢气混合气中氢气的体积百分数为20~40%；/n脱碳：将所得烧结产物置于脱碳炉中，于700℃空气氛围下保温2h，即得到高纯氮化硅粉末。/n
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