[发明专利]8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及应用有效
| 申请号： | 201710093514.X | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN106876248B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张志勤;陈秉克;赵丽霞;袁肇耿;薛宏伟;任丽翠;米姣 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王荣君 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及在低压MOS器件中的应用，属于半导体外延材料的制备技术领域，外延片厚度在20um以内，电阻率在0‑2Ω.cm之间；外延片厚度分布为中心向边缘逐渐变厚，电阻率分布为中心向边缘逐渐走高；最低点为中心，最高点在距边缘10mm处和距边缘6mm处，在上述两处外延片的厚度和电阻率均大于半径1/2处，在6mm处外延片厚度和电阻率的测试值的最小值均高于中心值以及半径1/2处的均值，外延片的电阻率均匀性在2%‑3%之间，外延片的厚度均匀性在1%‑2%之间，通过本发明提供的均匀性控方法获得的外延片，漏源击穿电压离散性明显小于常规外延片的离散性，用于低压MOS器件加工，可以明显改善击穿电压片内的离散性。 | ||
| 搜索关键词： | 英寸 薄层 外延 均匀 控制 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.8英寸薄层外延片，其特征在于，外延片厚度在20um以内，电阻率在0‑2Ω.cm之间；外延片厚度分布为中心向边缘逐渐变厚，电阻率分布为中心向边缘逐渐走高，最低点为中心，最高点在距外延片边缘10mm处和距外延片边缘6mm处，在上述两处外延片的厚度和电阻率均大于半径1/2处，在6mm处外延片厚度和电阻率的测试值的最小值均高于中心值以及半径1/2处的均值，外延片的电阻率的均匀性在2％‑3％之间，外延片的厚度均匀性在1％‑2％之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
