[发明专利]一种等离子体激活掺杂装置

摘要

本发明公布了一种等离子体激活掺杂装置，在0‑300℃的非高温下实现对半导体材料或器件进行掺杂。所述等离子体激活掺杂装置包括真空腔室和等离子体发生单元，等离子体耦合窗口设置在底面，其上为杂质源台，被掺半导体台设置在腔室顶部，被掺半导体台和杂质源台的台面均为与被掺半导体片同种材料的掩盖用半导体片；靠近真空腔室内壁设置金属内衬，该金属内衬与腔壁绝缘，并施加≤200V的正偏压；被掺半导体台的温度控制在0～300℃范围内。该装置能在非高温下对半导体材料或器件进行掺杂，不涉及高温处理、高能粒子轰击，损伤少，工艺简单，时间短，效率高，而且可消除或大幅度减少沾污，实现多种杂质一次掺杂完成。

主权项

1.一种等离子体激活掺杂装置，包括真空腔室和等离子体发生单元，其特征在于，所述真空腔室底面设有等离子体耦合窗口，等离子体发生单元位于等离子体耦合窗口下方；在真空腔室的顶部设置用于固定被掺半导体片的被掺半导体台，而在等离子体耦合窗口上设置用于放置固体杂质源的杂质源台，被掺半导体台和杂质源台的台面均为与被掺半导体片同种材料的掩盖用半导体片；在真空腔室内靠近腔壁设置金属内衬，该金属内衬与腔壁绝缘，腔壁为地电位，在金属内衬上施加高于地电位但≤200V的正偏压；被掺半导体台由温度控制系统控制其温度在0～300℃范围内。