[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710093647.7 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN106848056B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/10;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及霍尔传感器技术领域，所述的霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：在半导体单晶衬底上形成晶格常数逐渐增大的晶格渐变层；在晶格渐变层上形成缓冲层；在缓冲层上形成与缓冲层晶格常数相匹配的腐蚀隔离层；在腐蚀隔离层上形成与其晶格常数相匹配的霍尔功能层；依次去除半导体单晶衬底、晶格渐变层、缓冲层以及腐蚀隔离层。本发明避免了传统的高缺陷密度的缓冲层对霍尔元件性能的严重影响，使得最后剩下的霍尔功能层具有低缺陷密度，从而使得制得的霍尔元件具有更高的霍尔输出电压，有效地提高了霍尔元件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 霍尔 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种霍尔元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体单晶衬底(1)上形成晶格常数逐渐增大的晶格渐变层(2)；在所述晶格渐变层(2)上形成缓冲层(3)；在所述缓冲层(3)上形成与所述缓冲层(3)晶格常数相匹配的腐蚀隔离层(4)；在所述腐蚀隔离层(4)上形成与其晶格常数相匹配的霍尔功能层(5)；依次去除所述半导体单晶衬底(1)、所述晶格渐变层(2)、所述缓冲层(3)以及所述腐蚀隔离层(4)。
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