[发明专利]磁性隧道结及包括其的磁器件和电子设备有效
| 申请号： | 201710093931.4 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN106876582B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 韩秀峰;万蔡华;张轩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 11497 北京市正见永申律师事务所 | 代理人： | 黄小临;冯玉清<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁性隧道结和包括其的磁器件。根据一实施例，一种磁性隧道结可包括：参考磁层；位于所述参考磁层上的间隔层；以及位于所述间隔层上的复合自由磁层，所述复合自由磁层包括：位于所述间隔层一侧的第一自由磁层；位于所述第一自由磁层上的自旋霍尔效应SHE层；以及位于所述SHE层上的第二偏置磁层，其中，所述SHE层诱导所述第一自由磁层和所述第二偏置磁层之间的铁磁或反铁磁耦合，所述第一自由磁层和所述第二偏置磁层之一具有面内磁各向异性，另一个具有垂直磁各向异性，并且所述第二偏置磁层的磁各向异性能大于所述第一自由磁层的磁各向异性能。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 包括 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁性隧道结，包括：/n参考磁层；/n位于所述参考磁层上的间隔层；以及/n位于所述间隔层上的复合自由磁层，所述复合自由磁层包括：/n位于所述间隔层一侧的第一自由磁层；/n位于所述第一自由磁层上的自旋霍尔效应SHE层；以及/n位于所述SHE层上的第二偏置磁层，/n其中，所述SHE层诱导所述第一自由磁层和所述第二偏置磁层之间的铁磁或反铁磁耦合，所述第一自由磁层和所述第二偏置磁层之一具有面内磁各向异性，另一个具有垂直磁各向异性，并且所述第二偏置磁层的磁各向异性能大于所述第一自由磁层的磁各向异性能，/n其中，所述第一自由磁层具有面内磁各向异性，所述第二偏置磁层具有垂直磁各向异性，/n其中，所述SHE层配置为接收面内翻转电流以翻转所述第一自由磁层的磁矩，所述面内翻转电流的方向平行于所述第一自由磁层的面内磁各向异性的方向。/n
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