[发明专利]一种超结器件的制造方法及超结器件有效
| 申请号： | 201710096313.5 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN106876469B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 陈志聪;刘志斌;徐国刚 | 申请（专利权）人： | 江苏华弗半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11332 北京品源专利代理有限公司 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 215211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件的制造方法及超结器件，其中，方法包括：以1～2um/min的单晶硅生长速度在第一类型衬底上外延生长n层第一类型的单晶硅层，以最多在n‑2层单晶硅层上形成与第一类型衬底上的第一光刻对位标记正对的第二光刻对位标记，且当n大于或等于4时，除最上层单晶硅层外，在任意相邻三层单晶硅层中的至少一层单晶硅层上形成第二光刻对位标记；根据第一光刻对位标记和第二光刻对位标记，对每层单晶硅层进行光刻，以留出至少两个离子注入窗口；通过离子注入窗口对每层单晶硅层进行第二类型离子注入；将n层单晶硅层经高温推阱，使离子注入区形成第二类型柱区。本发明简化了制程过程、节省了制程时间及降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结器件的制造方法，其特征在于，包括：/n以1～2um/min的单晶硅生长速度在第一类型衬底上外延生长n层第一类型的单晶硅层，以最多在n-2层单晶硅层上形成与所述第一类型衬底上的第一光刻对位标记正对的第二光刻对位标记，且当n大于或等于4时，除最上层单晶硅层外，在任意相邻三层单晶硅层中的至少一层单晶硅层上形成所述第二光刻对位标记；/n根据所述第一光刻对位标记和所述第二光刻对位标记，对每层单晶硅层进行光刻，以留出至少两个离子注入窗口；/n通过所述离子注入窗口对每层单晶硅层进行第二类型离子注入，以在n层单晶硅层中形成至少两个离子注入区；/n将所述n层单晶硅层经高温推阱，使所述离子注入区形成第二类型柱区，且相邻两个所述第二类型柱区之间的单晶硅层为第一类型柱区。/n
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