[发明专利]磁控溅射腔室及磁控溅射设备有效
| 申请号： | 201710096324.3 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN108456859B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张同文;杨玉杰;丁培军;王厚工 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种磁控溅射腔室，包括基座；用于承载基片的所述基座的上表面倾斜设置，在承载基片时，用以使基片上沉积厚度较薄的基片区域相对沉积厚度较厚的基片区域距离靶材位的距离较近。本发明还提供一种包含该磁控溅射腔室的磁控溅射设备。该磁控溅射腔室和磁控溅射设备，可以获得薄膜厚度均匀性较好的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射腔室，用于在基片上沉积薄膜，其特征在于，包括用于承载所述基片的基座；所述基座的上表面倾斜设置，工艺时,所述基片上沉积薄膜厚度较薄的基片区域与靶材之间的距离小于沉积薄膜厚度较厚的基片区域与靶材之间的距离。
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