[发明专利]高密度三维集成电容器有效
申请号: | 201710096957.4 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN107045972B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 瓦格·奥甘赛安;贝勒卡西姆·哈巴;伊利亚斯·默罕默德;皮尤什·萨瓦利亚 | 申请(专利权)人: | 德塞拉股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/768 |
代理公司: | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人: | 段淑华;刘曾剑 |
地址: | 美国加利福尼亚州圣荷西市奥*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种高密度三维集成电容器,包括基板,具有第一表面、远离所述第一表面的第二表面、及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的贯通开口;第一金属元件,在所述第一表面暴露,并延伸至所述贯通开口内;第二金属元件,在所述第二表面暴露,并延伸至所述贯通开口内,所述第一金属元件和所述第二金属元件可与第一电位和第二电位电连接;电容器介电层,至少在所述贯通开口内使所述第一金属元件与所述第二金属元件相互分隔开并绝缘,所述电容器介电层具有起伏的形状。 | ||
搜索关键词: | 高密度 三维 集成 电容器 | ||
【主权项】:
制造元器件的方法,所述元器件具有用于与电路元器件或微电子元件电互连的电极,所述方法包括:从基板的第一表面去除材料,所述基板由热膨胀系数小于10ppm/℃的材料组成,所述基板具有与所述第一表面相对的第二表面,所述去除材料的步骤形成从所述第一表面向下延伸的开口;及形成与所述基板接触的第一电容器,包括:形成作为第一板和第二板的第一对导电板和作为第三板和第四板的第二对导电板,每个板沿所述开口的内表面延伸,其中所述第一板形成为覆盖所述内表面,所述第三板形成为覆盖所述第一板且通过第一电容器介电层使二者分隔开,所述第二板形成为覆盖所述第三板且通过第二介电层使二者分隔开,所述第四板形成为覆盖所述第二板且通过第三电容器介电层使二者分隔开;形成第一电极和第二电极,所述第一电极在所述第一表面的第一位置暴露,且与所述第一对导电板电连接,所述第二电极在所述第一表面和所述第二表面中一个上与所述第一位置间隔开的第二位置暴露,且与所述第二对导电板电连接;及形成第三电极和第四电极,分别在间隔开的第三位置和第四位置暴露,所述第三电极与所述第一对导电板电连接,所述第四电极与所述第二对导电板电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造