[发明专利]一种MIM电容器结构的制造方法有效
| 申请号： | 201710097726.5 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN106952895B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王汉清 | 申请（专利权）人： | 新昌县诺趣智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人： | 宋涛 |
| 地址： | 312500 浙江省绍兴市新*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MIM电容器结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供半导体衬底，具有相对的上表面和下表面，在所述上表面上具有多个功能器件；（2）形成隔离沟槽，所述隔离沟槽设置在所述半导体衬底中并位于所述功能器件之间；（3）在隔离沟槽中形成MIM电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mim 电容器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MIM电容器结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供半导体衬底，具有相对的上表面和下表面，在所述上表面上具有多个功能器件；（2）形成隔离沟槽，包括：在所述半导体中、位于功能器件之间的位置刻蚀出沟槽，并在沟槽的侧壁和底壁沉积一层金属屏蔽层，然后沉积并填充第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖整个上表面和所述功能器件，并且高出所述上表面一定的高度，所述隔离沟槽设置在所述半导体衬底中并位于所述功能器件之间；（3）在隔离沟槽中形成MIM电容器，包括：在隔离沟槽中的第一绝缘层刻蚀出两个垂直于所述上表面的电极槽，并用金属材料填充所述电极槽；（4）形成电连接所述MIM电容器和所述功能器件的多个导电通路，包括：在第一绝缘层上形成第二绝缘层，并通过刻蚀开口形成纵向导电通路和通过沉积、光刻形成横向导电通路。
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