[发明专利]一类宽带隙萘类有机半导体材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710098010.7 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106831364B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿;闫丽佳;赵亮;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | C07C41/30 | 分类号： | C07C41/30;C07C43/205;C07C319/20;C07C321/28;C07C1/32;C07C15/24;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211800 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一类宽带隙萘类有机半导体材料及其制备方法和应用，该宽带隙有机半导体材料的结构通式为 |
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| 搜索关键词： | 一类 宽带 隙萘类 有机半导体 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一类宽带隙萘类有机半导体材料，其结构通式为结构式I：其中：Ar1和Ar2独立的选自芳香基，Ar1和Ar2相同或者不相同；R1和R2独立的选自烷基、芳基、硫烷基、氧烷基、硫芳基、氧芳基和硅烷基，R1和R2相同或者不相同；所述的芳香基为苯基、噻吩基、含氧杂环基、含氮杂环基和含硅杂环基，所述烷基为碳原子数为1～16的直链或者支链烷基。
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