[发明专利]一种二氧化硅厚膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种二氧化硅厚膜的制备方法，步骤如下：S1，选取基片，并采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜，厚度为0.7um～1.8um；S2，对多晶硅薄膜热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，温度由低到高，热氧化时间为78～3个小时，形成二氧化硅膜，二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10μm；S3，在二氧化硅膜上生长新的多晶硅薄膜，厚度为0.7um～1.8um；S4，对新的多晶硅薄膜进行热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，热氧化时间为78～3个小时，形成另一层二氧化硅膜，二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10um；S5，重复步骤S3和步骤S4，直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。本发明分层制备，二氧化硅厚膜氧化热预算较低，成品率稳定，作为硅基二氧化硅光波导器件下包层的SiO2厚膜可在多种基片上进行制备。

主权项

1.一种二氧化硅厚膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：S1，选取基片，并采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜，生长的多晶硅薄膜厚度为0.7μm～1.8μm；S2，对生成的多晶硅薄膜进行热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为78～3个小时，形成一层二氧化硅膜，形成的二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10μm；当多晶硅薄膜厚度为0.8μm时，所述热氧化温度为1050℃～1200℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为9～4.5个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm；当多晶硅薄膜厚度为1.6μm时，所述热氧化温度为1050℃～1200℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为35～18个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm；S3，在生成的二氧化硅膜上采用LPCVD工艺生长一层新的多晶硅薄膜，生长的多晶硅薄膜厚度为0.7μm～1.8μm；S4，对新的多晶硅薄膜进行热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为78～3个小时，形成另一层二氧化硅膜，形成的二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10μm；当多晶硅薄膜厚度为0.8μm时，所述热氧化温度为1050℃～1200℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为9～4.5个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为1.71μm；当多晶硅薄膜厚度为1.6μm时，所述热氧化温度为1050℃～1200℃，根据氧化温度由低到高，热氧化时间为35～18个小时，形成的二氧化硅膜的厚度为3.65μm；S5，重复步骤S3和步骤S4，直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。