[发明专利]三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法

摘要

本发明提供一种三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法，包括：在对三维存储单元阵列进行读操作时，通过配置模块将所述三维存储单元阵列中的所有位线置为读不选择位线电压，将所述三维存储单元阵列中的所有字线置为读不选择字线电压；待脉冲信号到来后，将要读取的存储单元所在的位线置为读取电压Vread，将要读取的存储单元所在的字线置为0V；其中，所述读不选择位线电压介于Vread/2与Vread之间；所述读不选择字线电压介于Vread/2与Vread之间。本发明降低了位线上半选通单元两端的电压，三维存储器芯片在读操作时功耗变低、速度变快、无全阵列漏电、选中字线上未被选中的存储单元保持半选通。

主权项

一种三维存储器读出电路，其特征在于，所述三维存储器读出电路至少包括：三维存储单元阵列，所述三维存储单元阵列至少包括连接于同一位线的上下两列存储单元，其中，第一列存储单元中的非易失材料与第二列存储单元中的选通管连接同一位线，所述第一列存储单元中的选通管与所述第二列存储单元中的非易失材料分别连接一字线；配置模块，连接所述位线及各字线，用于在所述三维存储单元阵列进行读出和擦写操作时对位线及各字线分别进行电压配置，使得所述位线上半选通的存储单元两端的电压之差小于读取电压的一半；位线控制模块，连接于所述位线，接收位线控制信号，用于控制所述位线上的存储单元进行读出或擦写操作。