[发明专利]一种离子注入设备的清洗方法

摘要

本发明提供一种离子注入设备的清洗方法，所述离子注入设备包括产生等离子体并设有灯丝的离子源、用于引出带状离子束的引出电极系统、用于对基板进行离子扫描并设有基板夹具的扫描腔室，所述离子注入设备的清洗方法包括准备步骤、清洗步骤、维护步骤、结束步骤；所述离子注入设备的清洗方法适用于离子注入前、离子注入间隙、离子注入结束后三个清洗时段；本发明使得所述离子源、引出电极系统、基板夹具均得到有效清洗；避免了未被清洗干净的不稳定的淀积物剥落。

主权项

1.一种离子注入设备的清洗方法，所述离子注入设备包括产生等离子体并设有灯丝的离子源、用于引出带状离子束的引出电极系统、用于对基板进行离子扫描并设有基板夹具的扫描腔室，其特征在于，包括以下步骤：准备步骤：将灯丝电流设置为清洗目标值，并维持设定时间后进行清洗步骤；所述清洗步骤包括：S1：向离子源内部通入Ar，将离子源和引出电极系统的运转参数设置为清洗目标参数，通过所述引出电极系统从所述离子源引出氩离子束，并向所述扫描腔室内未装载基板的所述基板夹具照射所述氩离子束；S2：停止通入Ar，向离子源内部通入H2，通过所述引出电极系统从所述离子源引出氢离子束，并向所述扫描腔室内未装载基板的所述基板夹具照射所述氢离子束；S3：停止通入H2，向离子源内部通入Ar，通过所述引出电极系统从所述离子源引出氩离子束，并向所述扫描腔室内未装载基板的所述基板夹具照射所述氩离子束后，完成所述清洗步骤，进行维护步骤；所述维护步骤：停止通入Ar，向离子源内部通入工艺气体，将离子源和引出电极系统的运转参数设置为对所述基板进行离子注入时的工艺参数，通过所述引出电极系统从所述离子源引出工艺气体离子束，并向所述扫描腔室内未装载基板的所述基板夹具照射所述工艺气体离子束；完成所述维护步骤后进入离子注入待机状态或进行结束步骤；所述结束步骤：停止通入Ar，维持灯丝电流为清洗目标值至所述扫描腔室恢复到真空状态，逐渐关闭灯丝电流。