[发明专利]一种微米级半导体传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710102458.1 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN106986302A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王小华;吕品雷;杨爱军;褚继峰;王大伟;刘定新;荣命哲 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 北京华创博为知识产权代理有限公司11551 | 代理人： | 张波涛,管莹 |
| 地址： | 710048 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本公开揭示了一种微米级半导体传感器及其制备方法。本公开所述的微米级半导体传感器采用三电极结构，将硅板刻蚀到设计的形状之后，对收集电极内表面以及提取电极两面进行Ti/Ni/Au膜的镀膜加工，放电阴极表面直接采取ICP刻蚀工艺，加工出微米级硅柱体，在硅柱体表面镀膜，形成微米级金属电极，起放电作用。所述纳米级传感器制备方法包括如下步骤在硅板上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到曝光完成的硅板；采用刻蚀剂对得到的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶；再在光刻硅板表面镀金属膜，即得。本公开的微米级半导体传感器电极的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 半导体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微米级半导体传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S100、将硅片清洗烘干，涂底，旋转涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，对准掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，硬烘，得到预刻蚀硅板；S200、采用刻蚀剂对步骤S100得到的预刻蚀硅板进行深硅，去胶，激光打孔、划片，得传感器电极预制硅板；S300、在步骤S200中得到的预制硅板表面进行溅射镀膜，镀上一层导电金属膜，封装，得到微米级半导体传感器。
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