[发明专利]一种14吋砷化镓单晶炉及其拉1‑13根单晶生长方法

摘要

本发明公开了一种14吋砷化镓单晶炉及其拉1‑13根单晶生长方法，包括14吋炉膛、2吋PBN组件、保温棉、炉芯、石英管、环形加热片、封盖；所述14吋炉膛呈圆筒状，所述14吋炉膛内沿其高度方向分为3‑10段温场，所述3‑10段温场的区域内设有多个温控点，所述石英管设置在14吋炉膛内的底部，所述炉芯设置在石英管内；一种14吋砷化镓单晶的生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成。本发明设备精度高，其中分布在3‑10段温场的温控点有3‑10个，稳定控制温场，建立合适的温场梯度，进而有效掌握多个2吋单晶棒同时生长的合适的温控规律，可一次性批量式生长得到1‑13根单晶，可以大大提高砷化镓晶棒的生产效率，且成形率较高，可达80％‑100％。

主权项

一种14吋砷化镓单晶炉，其特征在于：包括14吋炉膛、2吋PBN组件、保温棉、炉芯、石英管、环形加热片、封盖；所述14吋炉膛呈圆筒状，所述14吋炉膛内沿其高度方向分为3‑10段温场，所述3‑10段温场的区域内设有多个温控点，所述石英管设置在14吋炉膛内的底部，所述炉芯设置在石英管内，所述石英管与炉芯之间设有保温棉，所述环形加热片固定在14吋炉膛的内壁上，并且环形加热片靠近石英管的一面呈锯齿状，所述2吋PBN组件整体呈圆柱状，其底部呈漏斗状，安装在石英支撑内部，所述封盖设置在14吋炉膛的顶部开口处。