[发明专利]半导体装置及熔丝的切断方法有效
| 申请号： | 201710103120.8 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107123635B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 北岛裕一郎 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供在能够利用激光切断的熔丝元件中能够稳定地切断的半导体装置。熔丝元件由上部熔丝元件和下部熔丝布线及熔丝连接触点构成。在基于激光切断熔丝元件时下部熔丝布线被层间膜保护，只有上部熔丝元件被有效率地熔融气化。进而连接上部熔丝元件和下部熔丝布线的触点配置在激光照射区域的中心，因此成为连接部分最有效率地接受激光的能量的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 切断 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；第1层间绝缘膜，设在所述半导体衬底的表面；下部熔丝布线，设在所述第1层间绝缘膜上；熔丝间绝缘膜，设在所述下部熔丝布线上；上部熔丝元件，设在所述熔丝间绝缘膜上并具有激光照射区域及上部熔丝布线部；熔丝连接触点，设在所述熔丝间绝缘膜并连接所述下部熔丝布线和所述上部熔丝元件；以及第2层间绝缘膜，设在所述熔丝间绝缘膜上，所述激光照射区域为圆形，所述熔丝连接触点配置在所述激光照射区域的中心。
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